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La valanga discreta 100% dei dispositivi a semiconduttore IPC100N04S5-1R9 ha provato

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La valanga discreta 100% dei dispositivi a semiconduttore IPC100N04S5-1R9 ha provato
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Imballaggi particolari: Norma/nuovo/originale
Categoria di prodotto: MOSFET
Tecnologia: Si
Tipo di prodotto: MOSFET
Sottocategoria: MOSFETs
Codice della data: 22+
Evidenziare:

Dispositivi discreti a semiconduttore IPC100N04S5

,

La valanga 100% ha collaudato i dispositivi discreti a semiconduttore

Informazioni di base
Luogo di origine: Filippine
Marca: Infineon
Numero di modello: IPC100N04S5-1R9
Termini di pagamento e spedizione
Tempi di consegna: In azione
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: Contattici
Descrizione di prodotto

IPC100N04S5-1R9

 

Attributo di prodotto Valore di attributo
Infineon
Categoria di prodotto: MOSFET
Si
TDSON-8
Bobina
Marca: Infineon Technologies
Tipo di prodotto: MOSFET
Sottocategoria: MOSFETs

 

Caratteristiche

• OptiMOS™ - MOSFET di potere per le applicazioni automobilistiche

• N-Manica - modo di potenziamento - livello normale

• La CEA Q101 si è qualificata

• MSL1 fino a riflusso del picco 260°C

• temperatura di funzionamento 175°C

• Prodotto verde (RoHS compiacente)

• La valanga 100% ha provato

 

 

La valanga discreta 100% dei dispositivi a semiconduttore IPC100N04S5-1R9 ha provato 0

 
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