FDC6561AN/SSOT-6/semiconduttori discreti
Questi MOSFETs del livello logico di N−Channel sono prodotti facendo uso del processo avanzato del POWERTRENCH dei onsemi che è stato adattato particolarmente per minimizzare la resistenza del on−state ma mantenere la tassa bassa del portone per la prestazione di commutazione superiore. Questi dispositivi sono ben adattati per tutte le applicazioni dove la piccola dimensione è desiderabile ma particolarmente conversione di basso costo DC/DC nei sistemi a pile.
| Attributo di prodotto | Valore di attributo |
|---|---|
| onsemi | |
| Categoria di prodotto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SSOT-6 | |
| N-Manica | |
| 2 Manica | |
| 30 V | |
| 2,5 A | |
| 95 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1 V | |
| 3,2 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 900 Mw | |
| Potenziamento | |
| PowerTrench | |
| FDC6561AN | |
| Bobina | |
| Tagli il nastro | |
| MouseReel | |
| Marca: | onsemi/Fairchild |
| Configurazione: | Doppio |
| Tempo di caduta: | 10 NS |
| Transconduttanza di andata - min: | 5 S |
| Altezza: | 1,1 millimetri |
| Lunghezza: | 2,9 millimetri |
| Prodotto: | Piccolo segnale del MOSFET |
| Tipo di prodotto: | MOSFET |
| Tempo di aumento: | 10 NS |
| Quantità del pacchetto della fabbrica: | 3000 |
| Sottocategoria: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | 2 N-Manica |
| Tipo: | MOSFET |
| Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori: | 12 NS |
| Tempo di ritardo d'apertura tipico: | 6 NS |
| Larghezza: | 1,6 millimetri |
| Parte # pseudonimi: | FDC6561AN_NL |
| Peso specifico: | 0,001270 once |
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