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STM32L451CET6/D2PAK-3/semiconduttori discreti

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STM32L451CET6/D2PAK-3/semiconduttori discreti
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Imballaggi particolari: Norma/nuovo/originale
Categoria di prodotto: MOSFET
Tecnologia: Si
Vgs - tensione di Portone-fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura di funzionamento minima: - ℃ 55
Temperatura di funzionamento massima: + ℃ 150
Informazioni di base
Luogo di origine: La Cina
Marca: STMicroelectronics
Numero di modello: STM32L451CET6
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: D2PAK-3
Tempi di consegna: In azione
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: Contattici
Descrizione di prodotto

REF02BU/SOIC-8/gestione CI di potere

 

Caratteristiche

 

    • Progettato per le applicazioni automobilistiche e AEC-Q101 si è qualificato

    • diodo del corpo di Rapido recupero

    • Estremamente - tassa del portone e capacità basse dell'input

    • Su resistenza bassa

    • la valanga 100% ha provato

    • Irregolarità estremamente alta di dv/dt • Zener-protetto

 

Attributo di prodotto Valore di attributo
STMicroelectronics
Categoria di prodotto: MOSFET
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
N-Manica
1 Manica
600 V
34 A
93 mOhms
- 20 V, + 20 V
3 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Potenziamento
AEC-Q101
MDmesh
STB45N60DM2AG
Bobina
Tagli il nastro
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configurazione: Singolo
Tempo di caduta: 6 NS
Altezza: 4,6 millimetri
Lunghezza: 10,4 millimetri
Prodotto: MOSFETs di potere
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di aumento: 27 NS
Quantità del pacchetto della fabbrica: 1000
Sottocategoria: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 MOSFET di potere di N-Manica
Tipo: Alta tensione
Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori: 85 NS
Tempo di ritardo d'apertura tipico: 29 NS
Larghezza: 9,35 millimetri
Peso specifico: 0,139332 once

 

STM32L451CET6/D2PAK-3/semiconduttori discreti 0

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