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STB45N60DM2AG/TO-263/semiconduttori discreti

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STB45N60DM2AG/TO-263/semiconduttori discreti
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Imballaggi particolari: Norma/nuovo/originale
Categoria di prodotto: MOSFET
Pacchetto/caso: D2PAK-3
Polarità del transistor: N-Manica
Numero dei canali: 1 Manica
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte: 600 V
Informazioni di base
Luogo di origine: La Cina
Marca: STMicroelectronics
Numero di modello: STB45N60DM2AG
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: TO-263
Tempi di consegna: In azione
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: Contattici
Descrizione di prodotto

REF02BU/SOIC-8/gestione CI di potere

 

Descrizione

 

Questo N-Manica ad alta tensione alimenta il MOSFET fa parte della serie veloce del diodo di recupero di MDmesh™ DM2. Offre la tassa molto bassa di recupero (Qrr) ed il tempo (trr) combinato con RDS basso (sopra), rendente la adatta per i convertitori più esigenti e l'ideale di alta efficienza per i convertitori di topologie del ponte e dello sfasamento di ZVS.

 

Attributo di prodotto Valore di attributo
STMicroelectronics
Categoria di prodotto: MOSFET
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
N-Manica
1 Manica
600 V
34 A
93 mOhms
- 20 V, + 20 V
3 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Potenziamento
AEC-Q101
MDmesh
STB45N60DM2AG
Bobina
Tagli il nastro
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configurazione: Singolo
Tempo di caduta: 6 NS
Altezza: 4,6 millimetri
Lunghezza: 10,4 millimetri
Prodotto: MOSFETs di potere
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di aumento: 27 NS
Quantità del pacchetto della fabbrica: 1000
Sottocategoria: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 MOSFET di potere di N-Manica
Tipo: Alta tensione
Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori: 85 NS
Tempo di ritardo d'apertura tipico: 29 NS
Larghezza: 9,35 millimetri
Peso specifico: 0,139332 once

STB45N60DM2AG/TO-263/semiconduttori discreti 0

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